DIODOS DE CARBONETO DE SILÍCIO (SILICON CARBIDE): UMA ANÁLISE COMPARATIVA COM DIODOS DE SILÍCIO EM UMA APLICAÇÃO DE ELETRÔNICA DE POTÊNCIA

Abstract

O presente artigo possui como principal objetivo apresentar um estudo comparativo entre duas tecnologias de diodos semicondutores de potência. Todo o estudo é realizado em torno dos diodos convencionais de Silício e dos modernos diodos que empregam Carboneto de Silício (Silicon Carbide). Para o desenvolvimento do estudo foram selecionados dois diodos com características próximas entre as tecnologias estudadas. Os resultados práticos foram obtidos em um conversor estático elevador de tensão do tipo Boost. Além da avaliação da eficiência dos diodos estudados, também são apresentadas as características de recuperação reversa destes em frequências elevadas. Por fim, o artigo apresenta de forma evidente o melhor desempenho da tecnologia de semicondutores de Silicon Carbide, assim como, avalia suas tendências e perspectivas futuras.